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    新聞動態(tài)

    永磁體新工藝對電機設(shè)計的挑戰(zhàn)

      1.晶界分散技藝

      傳統(tǒng)燒結(jié)磁體的工藝:按肯定的配比熔煉和鍛造制作出小片的NdFeB,而后詐騙氫爆和精磨制成2-10μm的粉末微粒,再壓成磁場定向的小塊,而后燒結(jié)退火,再把燒結(jié)塊按需求的尺寸切割成磁體,表面研磨、倒角,表面鍍防腐層。傳統(tǒng)工藝中,鏑(Dy)和鋱(Tb)在熔煉工序加入,重稀土元素在終的磁體中會平均分散,全部永磁體截面的矯頑力相同。

      晶界分散技藝(GBD):在切割和研磨階段,在磁體表面上敷上富含鏑或鋱的化合物,而后經(jīng)過一個24~36小時的熱處理工藝將重稀土元素分散進永磁體。(詳細(xì)的晶界分散工藝技藝品種還很多,每個永磁體廠家都有所差異)

      晶界分散技藝的磁體含有更少的重稀土元素(HRE),因為在基合金中的重稀土含量不妨顯赫減少,在某些狀況下不妨消除,平常在0–4%的分量百分比界線內(nèi)(wt%),同時分散平常是在低于1%的Tb或Dy的品質(zhì)分?jǐn)?shù)界線內(nèi)進行的。

      晶界分散技藝不妨運用1/3~1/2的傳統(tǒng)工藝運用的鏑或鋱的用量抵達和傳統(tǒng)工藝磁體相同高的剩磁(Br)和矯頑力(Hcj)。

      2.EV/HEV電機轉(zhuǎn)子特點

      是一張有限元法(FEA)計算的高退磁磁場下的轉(zhuǎn)子永磁體的磁密場圖。不妨看出在角落和邊緣位置有較高的退磁磁場,因此在這些位置需求更多的抗退磁保護。

      GBD工藝剛好不妨提供這種保護,因為在角落和邊緣位置HRE增添,而且這種保護的本錢相比于傳統(tǒng)工藝更低。

      3.分散永磁磁體中稀土元素的分散

      電子探針顯微鏡下的鋱分散磁體截面map:

      顯現(xiàn)4個面有顯然的Tb層,和角落部分增添的Tb分散特征;顯現(xiàn)此外兩個面沒有Tb分散產(chǎn)生,注腳這些的滲透是從四個面進行的。顯現(xiàn)同一個面內(nèi)的Tb分散相當(dāng)不平均。

      整體上分散紀(jì)律:角落>邊緣>中心,晶界>地區(qū)>晶粒。


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